机译:基于FinFET的Flex-Vth SRAM设计,可大幅降低待机电流
机译:阈值电压变化较大时双V {sub}(th)技术的漏电降低分析
机译:阈值电压变化较大时双V {sub}(th)技术的漏电降低分析
机译:通过VTH变化的概率分析,双VDD和双VTH设计中的泄漏功率降低
机译:在工艺变化下深亚微米技术的泄漏功率分析和优化。
机译:新方法以确定标准细胞库设计中泄漏功率的方法
机译:1.1 Vth变化概率分析中双Vth设计的泄漏功率降低
机译:协同研究:不确定性下概率分析与设计的模型简化。